ODA-120MHD(210)

核心优势

  • 应用210mm大硅片技术 及切半组件技术

  • 应用了多主栅(MBB)技术 有效提高光学利用率 并降低内部电流损耗

  • 应用创新的无损切割技术 降低隐裂风险

  • 通过TUV北德行业标准的抗PID (电势诱导衰减)

585-605W(双玻)

182*91mm

常见问题