应用210mm大硅片技术 及切半组件技术

应用了多主栅（MBB）技术 有效提高光学利用率 并降低内部电流损耗

应用创新的无损切割技术 降低隐裂风险

通过TUV北德行业标准的抗PID (电势诱导衰减)